Silicium koolstof

Specificatie

SiC-marktoverzicht op 8 september 2023

Vergeleken met traditionele silicium (Si) halfgeleiders hebben SiC-halfgeleiders een bandafstand die drie keer zo groot is als die van silicium en een doorslagveld dat acht keer zo groot is als die van silicium. Hierdoor zijn SiC-halfgeleiders bestand tegen hogere temperaturen, sterkere elektrische velden en een sterkere stralingsomgeving. Bovendien hebben SiC-halfgeleiders ook een hoge dragermobiliteit en uitstekende weerstand tegen chemische corrosie, waardoor ze veelbelovende kandidaten zijn voor gebruik in omgevingen met hoge temperaturen, hoge druk, hoge frequentie en hoge straling.

De toepassingen van SiC-halfgeleiders op elektronisch gebied omvatten voornamelijk vermogensapparaten, sensoren, radiofrequentieapparaten en logische apparaten. Op energiegebied worden SiC-halfgeleiders voornamelijk gebruikt in elektronische apparatuur met hoge spanning, hoge temperatuur en hoog vermogen, zoals omvormers, motoraandrijvingen, zonne-energie-omvormers, voedingen, enz. Op energiegebied worden SiC-halfgeleiders gebruikt voornamelijk gebruikt voor de omzetting en opslag van hernieuwbare energie zoals wind- en zonne-energie, evenals het opladen en rijden van elektrische voertuigen.

Het productieproces van SiC-halfgeleiders omvat voornamelijk stappen zoals groei, snijden, polijsten, metallisatie en verpakking. Onder hen is groei een belangrijke stap in de productie van SiC-halfgeleiders, waarvoor het gebruik van grondstoffen met hoge temperatuur, hoge druk en hoge zuiverheid en complexe groeiapparatuur nodig is.

Hoewel SiC-halfgeleiders veel voordelen hebben, zijn er ook enkele uitdagingen bij de productie en toepassing, zoals hoge productiekosten, passivatie van het oppervlak, metaalverontreinigingen en thermische stabiliteit. In de toekomst, met de voortdurende ontwikkeling van de technologie, zullen SiC-halfgeleiders op grotere schaal worden gebruikt en gepromoot.

FAQ