Siliciumcarbide SIC98

►Hoge hardheid.
►Sterk in snijvermogen.
►Stabiel in chemische eigenschappen.
►Groene thermische geleidbaarheid van siliciumcarbide - Goed in thermische geleidbaarheid.

Aanvraag sturen

Beschrijving

Het gehalte aan natuurlijk siliciumcarbide en moissanite (ook wel moissanite genoemd) is zeer klein. Siliciumcarbide dat in de industrie wordt gebruikt, is een synthetisch materiaal dat algemeen bekend staat als amaril. In 1891 ontdekte de Amerikaanse wetenschapper Acheson per ongeluk carbide tijdens een experiment met gesmolten diamant. Destijds dacht hij ten onrechte dat het een mengsel van diamanten was, dus noemde hij het amaril.

In hetzelfde jaar bestudeerde Acheson methoden voor het industrieel smelten van siliciumcarbide. Het is ook algemeen bekend als de Acheson-oven en is nog steeds in gebruik. Het is een weerstandsoven die koolstofhoudend materiaal als ovenkern gebruikt en het mengsel van kwarts SiO2 en koolstof elektrisch verwarmt om siliciumcarbide SIC98 te genereren.

Specificatie

Model	Component%
60#	Sic	F.C		Fe2O3
65#	60min	15-20	8-12	3,5max
70#	65min	15-20	8-12	3,5max
75#	70min	15-20	8-12	3,5max
80#	75min	15-20	8-12	3,5max
85#	80min	3-6		3,5max
90#	85min	2,5max		3,5max
95#	90min	1.0max		1,2max
97#	95min	0.6max		1,2max

Silicium Carbide Factory

Silicium Carbide Suppliers

Industrieel geproduceerd siliciumcarbide SIC98-zand bevat naast het hoofdbestanddeel SiC doorgaans onzuiverheden. Deze onzuiverheden omvatten voornamelijk:

(1) Gratis silicium. Een deel ervan wordt opgelost in het SiC-kristal, en een deel ervan vormt een legering met zijn onzuiverheden (zoals ijzer, aluminium, calcium, enz.) en hecht zich aan het kristal of is ingebed in het kristal.

(2) Vrij silica. Meestal te vinden op kristaloppervlakken. De meeste worden veroorzaakt door de contactoxidatie van SiC met zuurstof of waterdamp in de lucht tijdens het koelproces van de weerstandsoven. Wanneer er een teveel aan siliciumgrondstof in de ingrediënten zit, zal dit ook verdampen en condenseren op het oppervlak van het siliciumcarbidekristal, en er kan wit en pluizig SiO2 in de oven verschijnen.

(3) Koolstof. Een deel van de koolstof is in het SiC-kristal gewikkeld en een deel ervan vormt carbiden met metaalverontreinigingen. Wanneer er te veel koolstof in de ingrediënten zit, zijn er zichtbare vrije koolstofdeeltjes te zien.

(4) IJzer, aluminium, calcium, magnesium, enz. Vanwege de hoge temperatuur reducerende atmosfeer in de oven bevinden de meeste van deze onzuiverheden in de kristalstaaf zich in de legerings- of carbide-toestand. Onzuiverheden zoals ijzer, magnesium en calcium komen niet in het kristalrooster terecht, maar hopen zich op aan korrelgrenzen en poriën. De belangrijkste onzuiverheden die het SiC-rooster binnendringen zijn stikstof, aluminium en aluminium, die een belangrijke invloed hebben op de geleidende eigenschappen van het kristal.