Productietechnologie voor siliciumcarbide
video
Productietechnologie voor siliciumcarbide

Productietechnologie voor siliciumcarbide

Vorm: klont-/poedervorm
Siliciumcarbidepoeder voor vuurvast materiaal

Beschrijving

 

Beschrijving

Siliciumcarbide (SiC) is een populair materiaal in de elektronicawereld vanwege zijn superieure chemische en fysische eigenschappen. Het wordt gebruikt bij de productie van elektronische componenten zoals MOSFET's, diodes en voedingsmodules.
Het vervaardigen van SiC is een complex proces dat expertise en specifieke apparatuur vereist. De meest gebruikte methode voor de productie van SiC is het Acheson-proces, waarbij een mengsel van cokes en zand in een elektrisch resistente oven wordt verwarmd. De reactie resulteert in de vorming van SiC-kristallen die vervolgens worden vermalen en gesorteerd op basis van hun grootte en kwaliteit.
Een andere methode die wordt gebruikt voor de productie van SiC is het chemische dampafzettingsproces (CVD). Deze methode omvat de reactie tussen reactieve gassen zoals silaan (SiH4) en methaan (CH4) in een vacuümkamer. De reactie produceert een laag SiC op een substraat zoals een siliciumwafel.

Specificatie
Model Component procent
60# SiC F.C Fe2O3
65# 60min 15-20 8-12 3,5max
70# 65min 15-20 8-12 3,5max
75# 70min 15-20 8-12 3,5max
80# 75min 15-20 8-12 3,5max
85# 80min 3-6 3,5max
90# 85min 2,5max 3,5max
95# 90min 1.0max 1,2max
97# 95min 0.6max 1,2max

 

 

 

De afgelopen jaren is de SiC-productietechnologie vooruitgegaan met de introductie van nieuwe SiC-kristalgroeimethoden zoals de PVT- (fysiek damptransport) en HTCVD-processen (hot-wall thermal chemical vapour deposition). Deze processen maken de productie mogelijk van grotere en uniformere SiC-kristallen met minder defecten vergeleken met het Acheson-proces.
De SiC-productie-industrie blijft groeien als gevolg van de toenemende vraag naar elektronische apparaten die een hoog vermogen, hoge temperatuur en hoge frequentieprestaties vereisen. Het gebruik van SiC-componenten kan aan deze eisen voldoen door vermogensverliezen te verminderen, de efficiëntie te verhogen en de afmetingen en het gewicht te verminderen.
Kortom, SiC-productietechnologie is een cruciaal onderdeel van de elektronica-industrie. Met de vooruitgang in de groeimethoden voor SiC-kristallen kunnen we verwachten dat de productie van SiC-componenten de komende jaren zal blijven groeien. Dit zal resulteren in efficiëntere elektronische apparaten die beter geschikt zijn voor omgevingen met hoog vermogen en hoge temperaturen.

FAQ

Vraag: Hoe controleert u de kwaliteit van de producten?
A: We hebben ons eigen laboratorium met een geavanceerd testapparaat. Producten worden vóór verzending strikt geïnspecteerd om te garanderen dat de goederen gekwalificeerd zijn.

Vraag: Vervaardigt u speciale maten?
A: Ja, we kunnen onderdelen maken volgens uw vereisten.

Vraag: Heeft u iets op voorraad en wat is de levertijd?
A: We hebben een langetermijnvoorraad om aan de eisen van de klant te voldoen. We kunnen de goederen binnen 7 dagen verzenden en op maat gemaakte producten kunnen binnen 15 dagen worden verzonden.

Vraag: Wat is de MOQ van de proefbestelling?
A: Geen limiet, we kunnen de beste suggesties en oplossingen bieden op basis van uw toestand.

 

 

 

 

Populaire tags: productietechnologie van siliciumcarbide

Misschien vind je dit ook leuk

Boodschappentassen