Productietechnologie voor siliciumcarbide
Vorm: klont-/poedervorm
Siliciumcarbidepoeder voor vuurvast materiaal
Beschrijving
Beschrijving
Siliciumcarbide (SiC) is een populair materiaal in de elektronicawereld vanwege zijn superieure chemische en fysische eigenschappen. Het wordt gebruikt bij de productie van elektronische componenten zoals MOSFET's, diodes en voedingsmodules.
Het vervaardigen van SiC is een complex proces dat expertise en specifieke apparatuur vereist. De meest gebruikte methode voor de productie van SiC is het Acheson-proces, waarbij een mengsel van cokes en zand in een elektrisch resistente oven wordt verwarmd. De reactie resulteert in de vorming van SiC-kristallen die vervolgens worden vermalen en gesorteerd op basis van hun grootte en kwaliteit.
Een andere methode die wordt gebruikt voor de productie van SiC is het chemische dampafzettingsproces (CVD). Deze methode omvat de reactie tussen reactieve gassen zoals silaan (SiH4) en methaan (CH4) in een vacuümkamer. De reactie produceert een laag SiC op een substraat zoals een siliciumwafel.
Specificatie
| Model | Component procent | |||
| 60# | SiC | F.C | Fe2O3 | |
| 65# | 60min | 15-20 | 8-12 | 3,5max |
| 70# | 65min | 15-20 | 8-12 | 3,5max |
| 75# | 70min | 15-20 | 8-12 | 3,5max |
| 80# | 75min | 15-20 | 8-12 | 3,5max |
| 85# | 80min | 3-6 | 3,5max | |
| 90# | 85min | 2,5max | 3,5max | |
| 95# | 90min | 1.0max | 1,2max | |
| 97# | 95min | 0.6max | 1,2max | |
De afgelopen jaren is de SiC-productietechnologie vooruitgegaan met de introductie van nieuwe SiC-kristalgroeimethoden zoals de PVT- (fysiek damptransport) en HTCVD-processen (hot-wall thermal chemical vapour deposition). Deze processen maken de productie mogelijk van grotere en uniformere SiC-kristallen met minder defecten vergeleken met het Acheson-proces.
De SiC-productie-industrie blijft groeien als gevolg van de toenemende vraag naar elektronische apparaten die een hoog vermogen, hoge temperatuur en hoge frequentieprestaties vereisen. Het gebruik van SiC-componenten kan aan deze eisen voldoen door vermogensverliezen te verminderen, de efficiëntie te verhogen en de afmetingen en het gewicht te verminderen.
Kortom, SiC-productietechnologie is een cruciaal onderdeel van de elektronica-industrie. Met de vooruitgang in de groeimethoden voor SiC-kristallen kunnen we verwachten dat de productie van SiC-componenten de komende jaren zal blijven groeien. Dit zal resulteren in efficiëntere elektronische apparaten die beter geschikt zijn voor omgevingen met hoog vermogen en hoge temperaturen.
FAQ
Vraag: Hoe controleert u de kwaliteit van de producten?
A: We hebben ons eigen laboratorium met een geavanceerd testapparaat. Producten worden vóór verzending strikt geïnspecteerd om te garanderen dat de goederen gekwalificeerd zijn.
Vraag: Vervaardigt u speciale maten?
A: Ja, we kunnen onderdelen maken volgens uw vereisten.
Vraag: Heeft u iets op voorraad en wat is de levertijd?
A: We hebben een langetermijnvoorraad om aan de eisen van de klant te voldoen. We kunnen de goederen binnen 7 dagen verzenden en op maat gemaakte producten kunnen binnen 15 dagen worden verzonden.
Vraag: Wat is de MOQ van de proefbestelling?
A: Geen limiet, we kunnen de beste suggesties en oplossingen bieden op basis van uw toestand.
Populaire tags: productietechnologie van siliciumcarbide
Aanvraag sturen
Misschien vind je dit ook leuk
