CZ Siliciumwafel
CZ-siliciumwafels worden vaak gebruikt in de halfgeleiderindustrie als substraten voor de fabricage van geïntegreerde schakelingen, microprocessors en andere elektronische apparaten. Ze worden gewaardeerd om hun hoge zuiverheid, lage defectdichtheid en uitstekende elektrische eigenschappen.
Beschrijving
Beschrijving
Een CZ-siliciumwafel is een soort siliciumwafel die is vervaardigd met behulp van de Czochralski (CZ) -methode, een populaire methode voor het laten groeien van eenkristallen van silicium. De CZ-methode omvat het smelten van zeer zuiver silicium in een smeltkroes en vervolgens langzaam een kiemkristal uit de smelt trekken terwijl de smeltkroes en het kiemkristal in tegengestelde richtingen worden geroteerd.
Terwijl het kiemkristal uit de smelt wordt getrokken, zorgt het ervoor dat het silicium stolt in een cilindrische vorm rond het kiemkristal. Dit proces resulteert in een enkel kristal van silicium dat vrij is van defecten en een hoge zuiverheidsgraad heeft.
Specificatie
| Diameter | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" | 12" |
| Cijfer | Primeur | ||||||
| Groei methode | CZ | ||||||
| oriëntatie | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > , < 1-1-0 > | ||||||
| Type/doteerstof | P Type/Borium, N Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb | ||||||
| Dikte (μm) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 | 775 |
| Dikte Tolerantie | Standaard ± 25μm, maximale capaciteiten ± 5μm | ± 20μm | ± 20μm | ||||
| weerstand | 0.001 - 100 ohm-cm | ||||||
| Oppervlak afgewerkt | P/E , P/P, E/E, G/G | ||||||
| TTV (μm) | Standaard< 10 um, Maximum Capabilities <5 um | ||||||
| Boog/Schering (?m) | Standaard<40 um, Maximum Capabilities <20 um | <40μm | <40μm | ||||
Populaire tags: cz silicium wafer
Aanvraag sturen
Misschien vind je dit ook leuk
